【摘要】碳化硅(SiC)功率金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的特性受到广泛关注,介绍了非箝位感性开关(UIS)测试原理,搭建雪崩耐量测试平台,分析SiC MOSFET的单脉冲雪崩特性。探究UIS单脉冲测试对器件雪崩特性的影响,测试SiC MOSFET经过多次单脉冲UIS冲击后的雪崩耐量。最后,对比分析不同感性负载大小下器件的最大雪崩能量,得到了感性负载大小将影响器件的雪崩耐量这一结论。
【关键词】
《建筑知识》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《广州大学学报（社会科学版）》 2015-07-03
《重庆高教研究》 2015-06-30
《现代制造技术与装备》 2015-06-25
《广西广播电视大学学报》 2015-07-01
010-56259535
关注中教数据库
Copyright © 2013-2016 ZJHJ Corporation,All Rights Reserved
个人中心
退出
发表评论
登录后发表评论 (已发布 0条)点亮你的头像 秀出你的观点